Dummy -Wafer

Dummy -Wafer

Dummy Wafer ist ein grundlegendes, niedriges - -Kost -Tool, das zur Aufrechterhaltung, Kalibrierung und Stabilisierung von Multi - Millionen - Dollar Semiconductor Manufacturing -Geräte verwendet wird. Sie stellen sicher, dass die Umgebung zum Zeitpunkt des hohen - -Wafers in das Werkzeug perfekt kontrolliert und vorhersehbar ist, was die Ertrag und Qualität maximiert. Ohne Dummy -Wafer wäre die konsequente Produktion moderner Chips unmöglich.
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Beschreibung
Technische Parameter

 

Produkte Einführung

 

 

Bare Wafer1

 

Materialeigenschaften

 

 

 

 

Dummy -Spezifikationen 6" 8" 12"
Durchmesser (mm) 150±0.5 200±0.5 300±0.5
Typ/Dopant: P/Bor oder N/Ph P/Bor oder N/Ph P/Bor oder N/Ph
Dicke (μm) 625±25/675±25 725±25 775±25
Flach/Kerbe Wohnungen/Kerbe Wohnungen/Kerbe Kerbe
Oberflächenbeschaffung AS - cut/geläutet/geschnitten/ssp/dsp AS - cut/geläutet/geschnitten/ssp/dsp AS - cut/geläutet/geschnitten/ssp/dsp

 

 

 

 

Bare Wafer 1

Dummy -Wafer werden in der Semiconductor -Herstellung häufig als Kosten - effektive Lösung für Gerätekalibrierung, Prozessstabilisierung und Routinetests verwendet. Im Gegensatz zu Produktwafern tragen Dummy -Wafer keine aktiven Schaltkreise, aber sie spielen eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung, dass die Produktionstools reibungslos vor dem hohen - -Waffeln verarbeitet werden.

Unsere Silizium-Dummy-Wafer sind in 6 - Zoll, 8-Zoll- und 12-Zoll-Größen mit mehreren Optionen für Dotiermittel (P/Bor oder N/PH), Dicke, Wohnungen oder Kerben und Oberflächen (AS-Cut, Lapped, geschneidert, SSP/DSP) erhältlich. Diese Spezifikationen machen sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, von der Toolqualifikation bis zur Prozessentwicklung und der Ausrüstungsprüfung.

Durch die Verwendung von Dummy -Wafern können Hersteller die Kosten senken, die Waferertrag verbessern und die konsistente Qualität der Chipproduktion aufrechterhalten. Sie sind eine praktische Wahl für Fabrik-, Forschungslabor- und Halbleiterausrüstungswartung.

 

 

 

 

Produktmerkmale

 

 

Verfügbare Größen:6 ", 8" und 12 "Siliziumwafer

Präzise Durchmesserkontrolle:150 ± 0,5 mm, 200 ± 0,5 mm, 300 ± 0,5 mm

Flexible Dopingoptionen:P - type (boron) oder n - type (phosphor)

Dickebereich: 625±25 μm, 675±25 μm, 725±25 μm, 775±25 μm

Flat/Notch -Optionen:Wohnungen oder Notch, abhängig von der Wafergröße

Oberflächenbeschaffung:{- geschnitten, aufgelöst, geätzt, ssp (einzeln - Seite poliert), dsp (double - Seite poliert)

Kosten - effektiv:Ideal für Gerätekalibrierung, Werkzeugüberwachung und Prozesstests

Stabile Leistung:Gewährleistet eine konsistente Produktionsumgebung, bevor Produktwafer verarbeitet werden

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