【Produktbeschreibung】

Die Silizium-Heterojunction-Technologie (HJT) basiert auf einem Emitter und einem Back Surface Field (BSF), die durch Niedertemperaturwachstum von ultradünnen Schichten aus amorphem Silizium (a-Si:H) auf beiden Seiten von sehr gut gereinigten monokristallinen Siliziumwafern erzeugt werden , weniger als 160 μm dick, wo Elektronen und Löcher photogeneriert werden.

HJT solar cell structure 400 Profile2

【Prozessablauf】

Process flow A black

【Hauptmerkmale】

Hoher Effekt und hohe Voc

Niedriger Temperaturkoeffizient 5-8 Prozent Leistungssteigerung

Bifaziale Strukturen

【Hauptmerkmale】

Hohe Effizienz und hohe Voc

Niedriger Temperaturkoeffizient 5-8 Prozent Leistungssteigerung

Bifaziale Strukturen

【Technische Daten】

TECHNISCHE DATEN UND DESIGN		TEMPERATURKOEFFIZIENTEN UND LÖTFÄHIGKEIT
Abmessungen	166mm*166mm±0.25	TkUoc ( Prozent /K)	-0.192
Dicke	150 plus 20 μm/-10 μm	TkIsc ( Prozent /K)	plus 0.035
Vorderseite	9×0,1mm Schweißpunkt-Frontelektrode	TkPMAX (Prozent/K)	-0.236
Der Rücken	9×0,1mm Schweißpunkt-Gegenelektrode	Schälfestigkeitsminimum	>1,4 N/mm

ELEKTRISCHE PARAMETER bei STC
Nein.	Effizienz ( Prozent )	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	Ump (V)	Impp (A)	FF (Prozent)
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54