N Typ 156,75mm monokristalliner Solarwafer

Die Tatsache, dass Zelltechnologien mit den höchsten Wirkungsgraden in der industriellen Produktion auf n-Typ-Cz-Si-Wafern basieren, ist ein eindrucksvoller Beweis dafür, warum n-Typ-Wafer das am besten geeignete Material für hocheffiziente Solarzellen sind. Wenn wir genauer ins Detail gehen, gibt es einige physikalische Gründe für die Überlegenheit von n-Typ gegenüber p-Typ.

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CZ silicon crystal growth

Monocrystalline wafer 1

Die Tatsache, dass Zelltechnologien mit den höchsten Wirkungsgraden in der industriellen Produktion auf N-Typ-Cz-Si-Wafern basieren, ist ein eindrucksvoller Beweis dafür, warum n-Typ-Wafer das am besten geeignete Material für hocheffiziente Solarzellen sind. Wenn wir genauer ins Detail gehen, gibt es einige physikalische Gründe für die Überlegenheit des N-Typs gegenüber dem P-Typ, die wichtigsten sind:

Aufgrund des Fehlens von Bor tritt in p-Typ-Si-Wafern aufgrund von Bor-Sauerstoff-Komplexen kein lichtinduzierter Abbau (LID) auf
Da N Typ Si weniger empfindlich auf ausgeprägte metallische Verunreinigungen reagiert, sind die Minderheitsträgerdiffusionslängen im n-Typ Cz-Si im Allgemeinen signifikant höher als im p-Typ Cz-Si
N Typ Si ist weniger anfällig für Abbau bei Hochtemperaturprozessen wie B-Diffusion.

1 Materialeigenschaften

Eigentum	Spezifikation	Inspektionsmethode
Wachstumsmethode	Cz
Kristallinität	Monokristallin	Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）
Leitfähigkeitstyp	N-Typ	Napson EC-80TPN
Dotierstoff	Phosphor	-
Sauerstoffkonzentration[Oi]	≦8E+17 at/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Kohlenstoffkonzentration[Cs]	≦5E+16 at/cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)	≦500 cm^-3	Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）
Oberflächenorientierung	<100>±3°	Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987)
Ausrichtung von Pseudoquadratseiten	<010>,<001>±3°	Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987)

2 Elektrische Eigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Inspektionsmethode

Widerstandsgröße

0,2-2,0 Ω,cm

0,5-3,5 Ω,cm

1,0-7,0 Ω,cm

1,5-12 Ω,cm

Anderer Widerstand

Wafer-Inspektionssystem

MCLT (Minority Carrier Lifetime)

≧1000μs(Widerstand > 1Ωcm)
≧500μs(Widerstand)< 1="">Ωcm)

Sinton transient

3 Geometrie

Eigentum	Spezifikation	Inspektionsmethode
Geometrie	Pseudo-Quadrat
Abgeschrägungskantenform	rund
Wafergröße (SeitenlängeSeitenlänge Durchmesser	M0: 156 * 156 φ210 mm M1: 156,75 156,75 φ205 mm M2: 156,75 156,75 *φ210 mm	Wafer-Inspektionssystem
Winkel zwischen benachbarten Seiten	90±3°	Wafer-Inspektionssystem

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N Typ 156,75mm monokristalliner Solarwafer

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