Die Tatsache, dass Zelltechnologien mit den höchsten Wirkungsgraden in der industriellen Produktion auf N-Typ-Cz-Si-Wafern basieren, ist ein eindrucksvoller Beweis dafür, warum n-Typ-Wafer das am besten geeignete Material für hocheffiziente Solarzellen sind. Wenn wir genauer ins Detail gehen, gibt es einige physikalische Gründe für die Überlegenheit des N-Typs gegenüber dem P-Typ, die wichtigsten sind:
Aufgrund des Fehlens von Bor tritt in p-Typ-Si-Wafern aufgrund von Bor-Sauerstoff-Komplexen kein lichtinduzierter Abbau (LID) auf
Da N Typ Si weniger empfindlich auf ausgeprägte metallische Verunreinigungen reagiert, sind die Minderheitsträgerdiffusionslängen im n-Typ Cz-Si im Allgemeinen signifikant höher als im p-Typ Cz-Si
N Typ Si ist weniger anfällig für Abbau bei Hochtemperaturprozessen wie B-Diffusion.
1 Materialeigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Wachstumsmethode | Cz | |
Kristallinität | Monokristallin | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Leitfähigkeitstyp | N-Typ | Napson EC-80TPN |
Dotierstoff | Phosphor | - |
Sauerstoffkonzentration[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Kohlenstoffkonzentration[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte) | ≦500 cm-3 | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Oberflächenorientierung | <100>±3° | Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987) |
Ausrichtung von Pseudoquadratseiten | <010>,<001>±3° | Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987) |
2 Elektrische Eigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Widerstandsgröße | 0,2-2,0 Ω,cm 0,5-3,5 Ω,cm 1,0-7,0 Ω,cm 1,5-12 Ω,cm Anderer Widerstand | Wafer-Inspektionssystem |
MCLT (Minority Carrier Lifetime) | ≧1000μs(Widerstand > 1Ωcm) | Sinton transient |
3 Geometrie
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Geometrie | Pseudo-Quadrat | |
Abgeschrägungskantenform | rund | |
Wafergröße (Seitenlänge*Seitenlänge * Durchmesser | M0: 156 * 156 *φ210 mm M1: 156,75 * 156,75 *φ205 mm M2: 156,75 * 156,75 *φ210 mm | Wafer-Inspektionssystem |
Winkel zwischen benachbarten Seiten | 90±3° | Wafer-Inspektionssystem |
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