Polykristalliner Solarwafer mit schwarzer Siliziumoberfläche P, einschließlich 166 mm * 166 mm

Blak Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm166mm 01

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Polykristalliner Solarwafer mit schwarzer Siliziumoberfläche P, einschließlich 166 mm * 166 mm

Produkteinführung:

Metallunterstütztes chemisches Ätzen (MACE) ist ein kürzlich entwickeltes anisotropes Nassätzverfahren, das in der Lage ist, Halbleiter-Nanostrukturen mit hohem Aspektverhältnis aus gemusterten Metallfilmen herzustellen.

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Beschreibung

Technische Parameter

P type black silicon wafer 7

P type black silicon wafer in cascade 3

In einem gut akzeptierten Modell, das den MACE-Prozess beschreibt,Oxidationsmittelwird bevorzugt an der Oberfläche von . reduziertMetallkatalysator, und Löcher (h+) werden vom Metallkatalysator auf Si injiziert oder Elektronen (e−) werden vom Si auf den Metallkatalysator übertragen. Si unter Metallkatalysator hat das MaximumLochkonzentration, deshalb, dieOxidationund die Auflösung von Si erfolgt vorzugsweise unter dem Metallkatalysator.

Es wurde festgestellt, dass der Wirkungsgrad der Solarenergieumwandlung erhöht wird, wenn SiNWs mithohes Seitenverhältniswerden in der Oberfläche der slaren Lichtbestrahlung eingesetzt.

1 Zustand der Oberfläche

Parameter	Prozess	Reflexionsvermögen
Vorderseite
Zustand der Oberfläche	Metall Assistiertes chemisches Ätzen	Niedrig
Rückseite
Zustand der Oberfläche	Poliert oder strukturiert	Hoch oder tief

2 Materialeigenschaften

Eigentum	Spezifikation	Untersuchungsmethode
Wachstumsmethode	gerichtete Erstarrung	XRD
Kristallinität	polykristallin	Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）
Leitfähigkeitstyp	P-Typ	Napson EC-80TPN P/N
Dopant	Bor	-
Sauerstoffkonzentration [Oi]	≦1E+17 at/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Kohlenstoffkonzentration[Cs]	≦1E+18 at/cm³	FTIR (ASTM F123-91)

3 Elektrische Eigenschaften

Eigentum	Spezifikation	Untersuchungsmethode
Widerstand	0,5-2 cm (nach dem Tempern)	Wafer-Inspektionssystem
MCLT (Minority Carrier Lifetime)	≧2 μs	Sinton QSSPC

4 Geometrie

Eigentum	Spezifikation	Untersuchungsmethode
Geometrie	Quadrat oder Rechteck	Wafer-Inspektionssystem
Abgeschrägte Kantenform	Linie	Wafer-Inspektionssystem
Wafergröße (Seitenlänge * Seitenlänge)	156 mm * 156 mm 157mm186mm 166 mm 166 mm	Wafer-Inspektionssystem
Winkel zwischen benachbarten Seiten	90±3°	Wafer-Inspektionssystem

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