Derzeit verwendet Silizium-Solar-PV hauptsächlich monokristalline Wafer vom Typ 156,75 mm x 156,75 mm P, aber einige von ihnen migrieren zu größeren Wafer- und Zellgrößen wie 158,75 mm x 158,75 mm. Einige der Hersteller haben bereits mit diesem Prozess begonnen. Einer der Gründe dafür, dass der 158,75-mm-Vierkantwafer mehr Fokus bekommt, ist, dass die Modulabmessungen an den Standard-60-Zellen- und72-Zellen-Module, die eine Nachrüstung und Beibehaltung bestehender Fertigungsanlagen ermöglichen.
In Zukunft wird für Mono-Si-Wafer das 158,75 mm Full Square das von den meisten Solar-PV-Herstellern am häufigsten angenommene Design sein. Natürlich gibt es einige Hersteller, die Wafer verwenden, die größer sind. LG und Hanwha Q Cells verwenden beispielsweise M4-Wafer (161,7 mm), während Longi 166 mm (M6) -Wafer fördert.
1 Materialeigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Wachstumsmethode | Cz | |
Kristallinität | Monokristallin
| Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Leitfähigkeitstyp | p-leitend | Napson EC-80TPN P / N |
Dotierstoff
| Bor, Gallium
| - |
Sauerstoffkonzentration[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Kohlenstoffkonzentration[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte) | ≦500 cm-3 | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Oberflächenorientierung | <100>±3° | Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987) |
Ausrichtung von Pseudoquadratseiten | <010>,<001>±3° | Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987) |
2 Elektrische Eigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Widerstandsgröße | 0,5-1,5 Ωcm | Wafer-Inspektionssystem |
MCLT (Minority Carrier Lifetime) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (mit Einspritzstufe: 1E15 Zentimeter-3) |
3 Geometrie
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Geometrie | Volles Quadrat | |
Wafer-Seitenlänge | 158,75±0,25 mm | Wafer-Inspektionssystem |
Waferdurchmesser | φ223±0,25 mm | Wafer-Inspektionssystem |
Winkel zwischen benachbarten Seiten | 90° ± 0,2° | Wafer-Inspektionssystem |
Dicke | 180﹢20/﹣10 μm; 170﹢20/﹣10 μm | Wafer-Inspektionssystem |
TTV (Total Thickness Variation) | ≤27 μm | Wafer-Inspektionssystem |
4 Oberflächeneigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Inspektionsmethode |
Schneideverfahren | Dw | -- |
Oberflächenqualität | wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Verunreinigung, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Güllflecken, Epoxid-/Leimflecken sind nicht erlaubt) | Wafer-Inspektionssystem |
Sägemarken / Stufen | ≤ 15μm | Wafer-Inspektionssystem |
Bogen | ≤ 40 μm | Wafer-Inspektionssystem |
verziehen | ≤ 40 μm | Wafer-Inspektionssystem |
Chip | Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2 / Stück; kein V-Chip | Inspektionssystem mit bloßen Augen oder Wafer |
Mikrorisse / Löcher | unstatthaft | Wafer-Inspektionssystem |
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