Neuer 'M10' 182 mm x 182 mm monokristalliner Siliziumwafer

Nov 03, 2020

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Solar-PV-Hersteller haben offiziell begonnen, einen neuen großflächigen Wafergrößenstandard „M10“ (182 mm x 182 mm p-Typ monokristallin) zu etablieren, um die Herstellungskosten in der gesamten Lieferkette der Solarindustrie zu senken, da die Anzahl der großflächigen Wafergrößen gestiegen ist in den letzten Jahren entstanden.


1. Materialeigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Wachstumsmethode

CZ

--

Kristallinität

Monokristallines Silizium

Bevorzugte ÄtztechnikenASTM F47-88

Leitfähigkeitstyp

P-Typ

Napson EC-80TPN

P/N-Tester

Dopant

Bor/Gallium

--

Sauerstoffkonzentration [Oi]

≤9E + 17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kohlenstoffkonzentration [Cs]

≤ 4E + 16 at/cm3

FTIRASTM F123-91

Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)

≤ 500 cm-2

Bevorzugte ÄtztechnikenASTM F47-88

Oberflächenorientierung

& lt;100> ±3°

RöntgenbeugungsmethodeASTM F26-1987

Ausrichtung der pseudoquadratischen Seiten

& lt;010>,<001> ±3°

RöntgenbeugungsmethodeASTM F26-1987

2. Elektrische Eigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Widerstand

0,4-1,5 Ω.cm

Wafer-Inspektionssystem

MCLT

(Lebensdauer der Minderheitengesellschaft)

≥50µs

Sinton BCT-400

QSSPC/Transient

(mit Einspritzniveau: 1E15 cm-3)


3. Geometrie

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Geometrie

Pseudoquadrat

--

Abgeschrägte Kantenform

Runden

--

Waferseitenlänge

182±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Waferdurchmesser

φ247±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Winkel zwischen benachbarten Seiten

90° ± 0.2°

Wafer-Inspektionssystem

Dicke

180 20/10 µm

175 20/10 µm

170 20/10 µm

160 20/10 µm

150 20/10 µm

Andere

Wafer-Inspektionssystem

TTV (Gesamtdickenvariation)

≤ 28µm

Wafer-Inspektionssystem

image



4. Oberflächeneigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Schneidemethode

Diamantseilsäge

--

Oberflächenqualität

wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbaren Verunreinigungen, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Flecken, Epoxid-/Kleberreste sind nicht erlaubt)

Wafer-Inspektionssystem

Sägespuren

≤ 15µm

Wafer-Inspektionssystem

Bogen

≤ 40 µm

Wafer-Inspektionssystem

Kette

≤ 40 µm

Wafer-Inspektionssystem

Chip

Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2/Stk.; kein V-Chip

Nackte Augen oder Wafer-Inspektionssystem

Mikrorisse / Löcher

Nicht erlaubt

Wafer-Inspektionssystem



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