(1) Slicing: die Verwendung von Multi-Linie schneiden, Schneiden der Silizium-Stab in eine quadratische Wafer.
(2) Reinigung: Mit konventionellen Wafer Reinigungsmethode, und dann mit Säure (oder Alkali) Lösung wird die Oberfläche der Wafer Schaden Schicht 30-50um entfernen schneiden.
(3) Vorbereitung der samtigen Oberfläche: die Verwendung von Alkalilösung für die Silizium Wafer anisotropen Korrosion auf den Wafer-Oberfläche, die samtene Oberfläche vorzubereiten.
(4) Phosphor-Diffusion: mit Beschichtung Quelle (Flüssigkeitsquelle oder festen Stickstoff-Phosphat-Flake-Quelle) für Verbreitung, machte Pn + Knoten, Knoten tief in der Regel für 0,3-0.5um.
(5) periphere Radierung: Diffusionsschicht gebildet auf der Oberfläche der Silizium-Wafer, wenn verbreitet, kann es Kurzschluss der oberen und unteren Elektroden der Batterie, und entfernen Sie die peripheren Diffusionsschicht durch Maskierung Nassätzen oder Plasma Ätzen trocknen.
(6) entfernen Sie die hintere Pn + knot.Common Nassätzen oder abrasive Platte Methode zum Entfernen des hinteren Pn + Knotens.
(7) die Produktion der oberen und unteren Elektroden: Vakuum-Verdampfung, stromlose nickel Plattieren oder Aluminium Paste Druck- und Sinterprozess. Stellen Sie zunächst die untere Elektrode und stellen Sie dann die obere Elektrode. Aluminium einfügen drucken ist eine große Anzahl von Prozessmethoden verwendet.
(8) die Produktion von Antireflex Film: um der Reflexionsverlust für die Silizium-Wafer-Oberfläche eine Deckschicht Antireflex Folie zu reduzieren. Die Materialien für die Herstellung Antireflex Filme sind MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, TA2O5 usw..
Die Process-Methode kann in Vakuumbeschichtung, Ionen-Beschichtung, Sputtern, Druck, Pecvd oder Spritzen verwendet werden.
(9) Sintern: Sintern des Batterie-Chips auf der Grundplatte aus Nickel oder Kupfer.
(10) die Testdateien: nach den Vorgaben der Parameter testen Klassifizierung.
