Der Produktionsfluss monokristalliner Wafer besteht aus Schneid-, Reinigungs- und Sortierverfahren. Derzeit sind mehr als 80 % der weltweiten Produktionskapazität für Cz-Si-Kristalle für PV für p-Typ . bestimmte.
1 Materialeigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Wachstumsmethode | CZ | |
Kristallinität | Monokristallin | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Leitfähigkeitstyp | P-Typ | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant | Bor, Gallium | - |
Sauerstoffkonzentration [Oi] | ≦9E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Kohlenstoffkonzentration[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte) | ≦500 cm²-3 | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Oberflächenorientierung | & lt;100>±3° | Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
Ausrichtung der pseudoquadratischen Seiten | & lt;010>,<001>±3° | Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2 Elektrische Eigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Widerstand | 1-3 Ωcm (nach dem Glühen) | Wafer-Inspektionssystem |
MCLT (Minority Carrier Lifetime) | ≧20 μs | Sinton QSSPC |
3 Geometrie
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Geometrie | Pseudoquadrat | |
Abgeschrägte Kantenform | Runden | |
Wafergröße (Seitenlänge * Seitenlänge * Durchmesser | M0: 156*156*ϕ210 mm M1: 156,75*156,75* 205mm M2: 156,75*156,75* ϕ210 mm | Wafer-Inspektionssystem |
Winkel zwischen benachbarten Seiten | 90±3° | Wafer-Inspektionssystem |
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