Diese Spezifikation definiert monokristalline Siliziumwafer vom Typ N-Typ (Größe M10) für fortschrittliche Solarzellen. Erzeugt über die Czochralski -Methode mit Phosphor -Dotierung weisen die Wafer eine niedrige Sauerstoffkonzentration (bis zu 8E17 AT/cm³), eine niedrige Kohlenstoffkonzentration (bis zu 5e16 AT/cm³), die Ätzdichte bis zu 500 cm⁻² und eine präzise Oberflächenausrichtung innerhalb von 3 Grad von 3 Grad von 3 -Greden von 3 Graden von von bis zu 500 cm⁻² auf.<100>.
Zu den wichtigsten elektrischen Eigenschaften gehören ein Widerstandsbereich von 1,0 bis 7,0 Ω.CM und eine hohe Lebensdauer von Minderheitenträgern (mindestens 1000 μs).
Die Wafer haben eine optimierte Pseudo-Quadrat-Geometrie mit einer Seitenlänge von 182 mm (Toleranz 0,25 mm), einem Durchmesser von 247 mm (Toleranz 0,25 mm) und angrenzenden Seiten bei 90 Grad (Toleranz 0,2 Grad). Erhältlich in Dicken von 150 bis 180 μm (mit Toleranzen) gewährleisten sie eine minimale Dicke (TTV maximal 27 μm). Die Oberflächenqualität wird streng kontrolliert ("als geschnitten und gereinigt"), die Kontamination und Mikroverriegelungen mit Grenzen der Sägenmarkierungen (maximal 15 & mgr; m), Bug und Kette (maximal 40 μm) verbietet. Dieses Großformat unterstützt die Verschiebung der Branche in Richtung optimierter Lichterfassung.
1. Materialeigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Wachstumsmethode |
CZ |
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Kristallinität |
Monokristallin |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Leitfähigkeitstyp |
N-Typ |
Napson EC-80TPN |
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Dotierung |
Phosphor |
- |
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Sauerstoffkonzentration [OI] |
Weniger als oder gleich zu8e +17 at/cm3 |
Ftir (ASTM F121-83) |
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Kohlenstoffkonzentration [CS] |
Weniger als oder gleich zu5e +16 at/cm3 |
Ftir (ASTM F123-91) |
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Ätzdichte (Versetzungsdichte) |
Weniger als oder gleich zu500 cm-2 |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Oberflächenorientierung |
<100>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
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Ausrichtung der Pseudo -quadratischen Seiten |
<010>,<001>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2.Elektrische Eigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Widerstand |
1.0-7,0 ω.Cm
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Waferinspektionssystem |
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MCLT (Lebensdauer der Minderheit Carrier) |
Größer als oder gleich 1000 µ µ |
Sinton BCT-400
Vorübergehend
(mit Injektionsniveau: 5E14 cm-3)
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3.Geometrie
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Geometrie |
Pseudo Square |
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Schrägkantenform
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runden | |
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Wafer -Seitenlänge |
182 ± 0,25 mm
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Waferinspektionssystem |
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Waferdurchmesser |
φ247 ± 0,25 mm |
Waferinspektionssystem |
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Winkel zwischen benachbarten Seiten |
90 Grad ± 0,2 Grad |
Waferinspektionssystem |
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Dicke |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
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Waferinspektionssystem |
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TTV (Variation der Gesamtdicke) |
Weniger als oder gleich zu 27 µm |
Waferinspektionssystem |
4.Oberflächeneigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Schneidmethode |
Dw |
-- |
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Oberflächenqualität |
Als geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Kontamination (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Aufschlämmungsflecken, Epoxid-/Klebstoffflecken sind nicht erlaubt) |
Waferinspektionssystem |
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Sägen Markierungen / Stufen |
Weniger als oder gleich 15 uM |
Waferinspektionssystem |
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Bogen |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Kette |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Chip |
Tiefe weniger oder gleich 0,3 mm und Länge weniger als 0,5 mm max/pcs; Kein V-Chip |
Nacktes Augen oder Waferinspektionssystem |
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Mikro -Risse / Löcher |
Nicht erlaubt |
Waferinspektionssystem |
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