P-Typ 161,7 mm monokristalliner Solarwafer

Wachstumsmethode

CZ

Kristallinität

Monokristallin

Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）

Leitfähigkeitstyp

P-Typ

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Gallium

-

Sauerstoffkonzentration [Oi]

≦8E+17 at/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Kohlenstoffkonzentration[Cs]

≦5E+16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)

≦500 cm²^-3

Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）

Oberflächenorientierung

& lt;100>±3°

Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987)

Ausrichtung der pseudoquadratischen Seiten

& lt;010>,<001>±3°

Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987)

Widerstand

0,5-1,5 cm

Wafer-Inspektionssystem

MCLT (Minority Carrier Lifetime)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(mit Einspritzniveau: 1E15 cm^-3)

Geometrie

Quasi-Quadrat

Waferseitenlänge

161,7 ± 0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Waferdurchmesser

221±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Winkel zwischen benachbarten Seiten

90° ± 0.2°

Wafer-Inspektionssystem

Dicke

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Gesamtdickenvariation)

≤27 µm

Wafer-Inspektionssystem

Schneidemethode

DW

--

Oberflächenqualität

wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbaren Verunreinigungen, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Schlammflecken, Epoxid-/Kleberflecken sind nicht erlaubt)

Wafer-Inspektionssystem

Sägespuren / Stufen

≤ 15µm

Wafer-Inspektionssystem

Bogen

≤ 40 µm

Wafer-Inspektionssystem

Kette

≤ 40 µm

Wafer-Inspektionssystem

Chip

Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2/Stk.; kein V-Chip

Nackte Augen oder Wafer-Inspektionssystem

Mikrorisse / Löcher

Nicht erlaubt

Wafer-Inspektionssystem