Monokristalliner Solarwafer P Typ M4

Monokristalliner Solarwafer P Typ M4
Produkteinführung:
Monokristalliner M4-Wafer vom P-Typ mit Abmessungen von 161,7 mm x 161,7 mm.
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Beschreibung
Technische Parameter

Monokristalliner M4-Wafer vom P-Typ mit Abmessungen von 161,7 mm x 161,7 mm.


M4 161x161


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2




1      Materialeigenschaften

 

Eigentum

Spezifikation

Inspektionsmethode

Wachstumsmethode

Cz


Kristallinität

Monokristallin

 

Bevorzugte ÄtztechnikenASTM F47-88

Leitfähigkeitstyp

p-leitend

Napson EC-80TPN

P / N

Dotierstoff

 

Bor, Gallium

 

-

Sauerstoffkonzentration[Oi]

≦8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kohlenstoffkonzentration[Cs]

5E+16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)

500 cm-3

Bevorzugte ÄtztechnikenASTM F47-88

Oberflächenorientierung

<100>±3°

Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987)

Ausrichtung von Pseudoquadratseiten

<010>,<001>±3°

Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987)

 

2      Elektrische Eigenschaften

 

Eigentum

Spezifikation

Inspektionsmethode

Widerstandsgröße

0,5-1,5 Ωcm

Wafer-Inspektionssystem

MCLT (Minority Carrier Lifetime)

50 μs

Sinton BCT-400

(mit Einspritzstufe: 1E15 Zentimeter-3)

 

3      Geometrie

 


Eigentum

Spezifikation

Inspektionsmethode

Geometrie

Quasi quadratisch


Wafer-Seitenlänge

161,7±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Waferdurchmesser

φ221±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Winkel zwischen benachbarten Seiten

90° ± 0,2°

Wafer-Inspektionssystem

Dicke

18020/10 μm;

17020/10 μm

Wafer-Inspektionssystem

TTV (Total Thickness Variation)

27 μm

Wafer-Inspektionssystem



 image

 

 

4      Oberflächeneigenschaften

 

Eigentum

Spezifikation

Inspektionsmethode

Schneideverfahren

Dw

--

Oberflächenqualität

wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Verunreinigung, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Güllflecken, Epoxid-/Leimflecken sind nicht erlaubt)

Wafer-Inspektionssystem

Sägemarken / Stufen

≤ 15μm

Wafer-Inspektionssystem

Bogen

≤ 40 μm

Wafer-Inspektionssystem

verziehen

≤ 40 μm

Wafer-Inspektionssystem

Chip

Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2 / Stück;   kein V-Chip

Inspektionssystem mit bloßen Augen oder Wafer

Mikrorisse / Löcher

unstatthaft

Wafer-Inspektionssystem




 

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