Monokristalliner Solarwafer P Typ M4

Wachstumsmethode

Cz

Kristallinität

Monokristallin

Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）

Leitfähigkeitstyp

p-leitend

Napson EC-80TPN

P / N

Dotierstoff

Bor, Gallium

-

Sauerstoffkonzentration[Oi]

≦8E+17 at/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Kohlenstoffkonzentration[Cs]

≦5E+16 at/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)

≦500 cm^-3

Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）

Oberflächenorientierung

<100>±3°

Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987)

Ausrichtung von Pseudoquadratseiten

<010>,<001>±3°

Röntgenbeugungsverfahren (ASTM F26-1987)

Widerstandsgröße

0,5-1,5 Ωcm

Wafer-Inspektionssystem

MCLT (Minority Carrier Lifetime)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(mit Einspritzstufe: 1E15 Zentimeter^-3)

Geometrie

Quasi quadratisch

Wafer-Seitenlänge

161,7±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Waferdurchmesser

φ221±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Winkel zwischen benachbarten Seiten

90° ± 0,2°

Wafer-Inspektionssystem

Dicke

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (Total Thickness Variation)

≤27 μm

Wafer-Inspektionssystem

Schneideverfahren

Dw

--

Oberflächenqualität

wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Verunreinigung, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Güllflecken, Epoxid-/Leimflecken sind nicht erlaubt)

Wafer-Inspektionssystem

Sägemarken / Stufen

≤ 15μm

Wafer-Inspektionssystem

Bogen

≤ 40 μm

Wafer-Inspektionssystem

verziehen

≤ 40 μm

Wafer-Inspektionssystem

Chip

Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2 / Stück;   kein V-Chip

Inspektionssystem mit bloßen Augen oder Wafer

Mikrorisse / Löcher

unstatthaft

Wafer-Inspektionssystem