P-Typ 166 mm monokristalliner Solarwafer

P-Typ 166 mm monokristalliner Solarwafer

166 mm x 166 mm M6 monokristalliner Silizium-Solarwafer mit einem Durchmesser von 223 mm ist 12,21% größer als der M2-Wafer.
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Beschreibung
Technische Parameter


166mmx166mm solar wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


166 mm x 166 mm M6 monokristalliner Silizium-Solarwafer mit einem Durchmesser von 223 mm ist 12,21% größer als der M2-Wafer. Solarzellen aus M6-Substrat haben also eine um 12,21 % höhere Leistung als solche aus M2-Substrat.


1 Materialeigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Wachstumsmethode

CZ


Kristallinität

Monokristallin

Bevorzugte ÄtztechnikenASTM F47-88

Leitfähigkeitstyp

P-Typ

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Gallium

-

Sauerstoffkonzentration [Oi]

≦8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kohlenstoffkonzentration[Cs]

5E+16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)

500 cm²-3

Bevorzugte ÄtztechnikenASTM F47-88

Oberflächenorientierung

& lt;100>±3°

Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987)

Ausrichtung der pseudoquadratischen Seiten

& lt;010>,<001>±3°

Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987)

2 Elektrische Eigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Widerstand

0,5-1,5 cm

Wafer-Inspektionssystem

MCLT (Minority Carrier Lifetime)

50 μs

Sinton BCT-400

(mit Einspritzniveau: 1E15 cm-3)

3Geometrie

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Geometrie

Volles Quadrat


Waferseitenlänge

166±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Waferdurchmesser

223±0,25 mm

Wafer-Inspektionssystem

Winkel zwischen benachbarten Seiten

90° ± 0.2°

Wafer-Inspektionssystem

Dicke

18020/10 µm;

17020/10 µm

Wafer-Inspektionssystem

TTV (Gesamtdickenvariation)

27 µm

Wafer-Inspektionssystem


166mmx166mm M6 solar wafer

4 Oberflächeneigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Schneidemethode

DW

--

Oberflächenqualität

wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbaren Verunreinigungen, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Schlammflecken, Epoxid-/Kleberflecken sind nicht erlaubt)

Wafer-Inspektionssystem

Sägespuren / Stufen

≤ 15µm

Wafer-Inspektionssystem

Bogen

≤ 40 µm

Wafer-Inspektionssystem

Kette

≤ 40 µm

Wafer-Inspektionssystem

Chip

Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2/Stk.; kein V-Chip

Nackte Augen oder Wafer-Inspektionssystem

Mikrorisse / Löcher

Nicht erlaubt

Wafer-Inspektionssystem




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