Der monokristalline Siliziumwafer vom N-Typ ist ein volles Quadrat 158,75 × 158,75 mm, wodurch die Lichtbelastung und die Effizienz des Moduls maximiert werden. Hergestellt mit der CZ -Methode mit Phosphor -Doping bietet eine hervorragende Materialqualität, eine geringe Versetzungsdichte (weniger oder gleich 500 cm⁻²) und<100>Kristallorientierung. Bei N-Typ-Leitfähigkeit, einem Widerstandsbereich von 0,5–7 Ω · cm und einer Lebensdauer der Träger bis zu mehr oder gleich 1000 µs ist es für hocheffiziente Zelltechnologien wie TopCon und HJT gut geeignet. Die volle quadratische Form und enge geometrische Toleranzen gewährleisten eine optimale Integration und Leistung der Modul.
1. Materialeigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Wachstumsmethode |
CZ |
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Kristallinität |
Monokristallin |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Leitfähigkeitstyp |
N-Typ |
Napson EC-80TPN |
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Dotierung |
Phosphor |
- |
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Sauerstoffkonzentration [OI] |
Weniger als oder gleich zu8e +17 at/cm3 |
Ftir (ASTM F121-83) |
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Kohlenstoffkonzentration [CS] |
Weniger als oder gleich zu5e +16 at/cm3 |
Ftir (ASTM F123-91) |
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Ätzdichte (Versetzungsdichte) |
Weniger als oder gleich zu500 cm-2 |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Oberflächenorientierung |
<100>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
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Ausrichtung der Pseudo -quadratischen Seiten |
<010>,<001>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2.Elektrische Eigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Widerstand |
1.0-7,0 ω.Cm
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Waferinspektionssystem |
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MCLT (Lebensdauer der Minderheit Carrier) |
Größer als oder gleich 1000 µs (Widerstand ＞ 1,0 OHM.CM)
Größer als oder gleich 500 µs (Widerstand ＜ 1,0 OHM.CM)
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Sinton BCT-400 QSSPC/Transient
(mit Injektionsniveau: 1E15 cm -3)
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3.Geometrie
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Geometrie |
Pseudo Square |
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Schrägkantenform
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runden | |
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Waferseite Länge |
182 ± 0,25 mm
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Waferinspektionssystem |
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Waferdurchmesser |
φ247 ± 0,25 mm |
Waferinspektionssystem |
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Winkel zwischen benachbarten Seiten |
90 Grad ± 0,2 Grad |
Waferinspektionssystem |
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Dicke |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
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Waferinspektionssystem |
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TTV (Variation der Gesamtdicke) |
Weniger als oder gleich zu 27 µm |
Waferinspektionssystem |
4.Oberflächeneigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Schneidmethode |
Dw |
-- |
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Oberflächenqualität |
Als geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Kontamination (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Aufschlämmungsflecken, Epoxid-/Klebstoffflecken sind nicht erlaubt) |
Waferinspektionssystem |
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Saw Marks / Stufen |
Weniger als oder gleich 15 µm |
Waferinspektionssystem |
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Bogen |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Kette |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Chip |
Tiefe weniger oder gleich 0,3 mm und Länge weniger als 0,5 mm max/pcs; Kein V-Chip |
Nacktes Augen oder Waferinspektionssystem |
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Mikro -Risse / Löcher |
Nicht erlaubt |
Waferinspektionssystem |
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