Optimiert für hocheffiziente Solaranwendungen, weist der monokristalline Siliziumwafer vom N-Typ ein Pseudo-Quadrat-166 × 166-mm-Design mit überlegenen Materialeigenschaften auf. Hergestellt mit CZ -Methode mit Phosphor -Doping liefert eine hervorragende Kristallqualität mit<100>Ausrichtung und niedrige Defektdichte (weniger oder gleich 500 cm⁻²). Der Wafer bietet N-Typ-Leitfähigkeit mit 1,0-7,0 Ω · cm-Widerstand und mehr oder gleich 1000 µs Trägerlebensdauer, was ihn ideal für Topcon- und Heterojunction-Zelltechnologien macht. Seine präzise Geometrie (φ223 mm Durchmesser, weniger als oder gleich 27 µm TTV) und strenge Standards der Oberflächenqualität gewährleisten eine optimale Leistung bei Photovoltaikmodulen. Die M6 -Größe bietet das perfekte Gleichgewicht zwischen der Effizienz von Zellen und der Herstellungsproduktivität für moderne Solarproduktionslinien.
1. Materialeigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Wachstumsmethode |
CZ |
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Kristallinität |
Monokristallin |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Leitfähigkeitstyp |
N-Typ |
Napson EC-80TPN |
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Dopant |
Phosphor |
- |
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Sauerstoffkonzentration [OI] |
Weniger als oder gleich zu8e +17 at/cm3 |
Ftir (ASTM F121-83) |
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Kohlenstoffkonzentration [CS] |
Weniger als oder gleich zu5e +16 at/cm3 |
Ftir (ASTM F123-91) |
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Ätzdichte (Versetzungsdichte) |
Weniger als oder gleich zu500 cm-2 |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Oberflächenorientierung |
<100>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
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Ausrichtung der Pseudo -quadratischen Seiten |
<010>,<001>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2.Elektrische Eigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Widerstand |
1.0-7,0 ω.Cm
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Waferinspektionssystem |
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MCLT (Lebensdauer der Minderheit Carrier) |
Größer als oder gleich 1000 µs
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Sinton BCT-400 Vorübergehend
(mit Injektionsniveau: 5E14 cm-3)
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3.Geometrie
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Geometrie |
Pseudo Square |
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Schrägkantenform
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runden | |
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Waferseite Länge |
166 ± 0,25 mm
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Waferinspektionssystem |
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Waferdurchmesser |
φ223 ± 0,25 mm |
Waferinspektionssystem |
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Winkel zwischen benachbarten Seiten |
90 Grad ± 0,2 Grad |
Waferinspektionssystem |
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Dicke |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
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Waferinspektionssystem |
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TTV (Variation der Gesamtdicke) |
Weniger als oder gleich zu 27 µm |
Waferinspektionssystem |
4.Oberflächeneigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Schneidmethode |
Dw |
-- |
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Oberflächenqualität |
Als geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Kontamination (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Aufschlämmungsflecken, Epoxid-/Klebstoffflecken sind nicht erlaubt) |
Waferinspektionssystem |
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Saw Marks / Stufen |
Weniger als oder gleich 15 µm |
Waferinspektionssystem |
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Bogen |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Kette |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Chip |
Tiefe weniger oder gleich 0,3 mm und Länge weniger als 0,5 mm max/pcs; Kein V-Chip |
Nacktes Augen oder Waferinspektionssystem |
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Mikro -Risse / Löcher |
Nicht erlaubt |
Waferinspektionssystem |
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