4H Semi-Isolierender SiC-Wafer

Halb-isolierende SiC-Substrate bieten einen hohen spezifischen Widerstand und hervorragende thermische Eigenschaften und eignen sich daher für das heteroepitaktische GaN-Wachstum und Hochfrequenz-HF-Halbleiteranwendungen. Als hochleistungsfähiges SiC-Substrat wird es häufig für HEMT-basierte Geräte in fortschrittlichen Kommunikationssystemen, einschließlich der 5G-Infrastruktur, verwendet. Diese halb{7}isolierenden SiC-Wafer bieten auch hervorragende optische und materielle Eigenschaften und unterstützen neue Anwendungen in der Optoelektronik und tragbaren Elektronik.{8}Zoll-SiC-Substrate bieten Potenzial für Anwendungen der nächsten-Generation wie AR-Brillen und andere fortschrittliche optische Geräte.