Produkteinführung
SiC-Substrate vom Typ N- sind für das homoepitaktische Wachstum in der modernen Leistungshalbleiterfertigung konzipiert. Mit überlegener elektrischer und thermischer Leistung bietet diese hohe -LeistungSiC-Substrateignet sich für Hochleistungsanwendungen in Elektrofahrzeugen, Photovoltaikanlagen, Windkraft und anderen neuen Energietechnologien.
Die Produktpalette umfasst 6 Zoll und 8 ZollSiC-Waferfür die Massenproduktion und weltweite Versorgung, mit einer 12-Zoll-Substratproduktionskapazität für Leistungshalbleiteranwendungen der nächsten Generation.
Spezifikationen
| 6 Zoll | |
|---|---|
| Durchmesser | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Oberflächenausrichtung | 4 Grad in Richtung<1120>±0,5 Grad |
| Primäre flache Länge | 47,5 mm ±1,5 mm |
| Primäre flache Ausrichtung | <1120>±1,0 Grad |
| Kerbenausrichtung | / |
| Kerbwinkel | / |
| Kerbtiefe | / |
| Zweitwohnung | N/A |
| Dicke | 350,0 um ± 25,0 um |
| Polytypie | 4H |
| Typ | n-Typ |
| 8 Zoll | |
|---|---|
| Durchmesser | 200,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Oberflächenausrichtung | 4 Grad in Richtung<1120>±0,5 Grad |
| Primäre flache Länge | Kerbe |
| Primäre flache Ausrichtung | / |
| Kerbenausrichtung | <1100>±1,0 Grad |
| Kerbwinkel | 90 Grad +5 Grad /-1 Grad |
| Kerbtiefe | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Zweitwohnung | N/A |
| Dicke | 500,0 um ± 25,0 um |
| Polytypie | 4H |
| Typ | n-Typ |
| 12 Zoll | |
|---|---|
| Durchmesser | 300,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Oberflächenausrichtung | 4 Grad in Richtung<1120>±0,5 Grad |
| Primäre flache Länge | Kerbe |
| Primäre flache Ausrichtung | / |
| Kerbenausrichtung | <1100>±5,0 Grad |
| Kerbwinkel | 90 Grad +5 Grad /-1 Grad |
| Kerbtiefe | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Zweitwohnung | N/A |
| Dicke | 750,0 um ± 25,0 um |
| Polytypie | 4H |
| Typ | n-Typ |
Zertifikat
Beliebte label: 4h n-Typ Sic-Substrat, China, Lieferanten, Hersteller, Fabrik, hergestellt in China
