Der monokristalline Siliziumwafer vom N-Typ M12 verwendet ein großes Pseudo-Quadrat 210 × 210 mm Format (φ295 mm Durchmesser), wodurch die aktive Fläche erhöht und die Leistungsleistung für PV-Module mit hoher Effizienz erhöht wird. Mit der CZ -Methode gezüchtet und mit Phosphor dotiert, zeigt es a<100>Oberflächenorientierung, niedrige Versetzungsdichte (weniger oder gleich 500 cm⁻²) und Leitfähigkeit vom Typ N. Mit einem Widerstandsbereich von 1,0–7,0 Ω · cm und der Lebensdauer von Minderheitenträgern größer oder gleich 1000 µs ist es ideal für fortschrittliche Solarzellentechnologien wie TopCon und HJT. Die optimierte Geometrie und Oberflächenqualität des M12 Wafer gewährleisten eine hervorragende Leistung in Hochleistungsmodulen der nächsten Generation.
1. Materialeigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Wachstumsmethode |
CZ |
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Kristallinität |
Monokristallin |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Leitfähigkeitstyp |
N-Typ |
Napson EC-80TPN |
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Dotierung |
Phosphor |
- |
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Sauerstoffkonzentration [OI] |
Weniger als oder gleich zu8e +17 at/cm3 |
Ftir (ASTM F121-83) |
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Kohlenstoffkonzentration [CS] |
Weniger als oder gleich zu5e +16 at/cm3 |
Ftir (ASTM F123-91) |
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Ätzdichte (Versetzungsdichte) |
Weniger als oder gleich zu500 cm-2 |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Oberflächenorientierung |
<100>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
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Ausrichtung der Pseudo -quadratischen Seiten |
<010>,<001>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2.Elektrische Eigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Widerstand |
1,0-7,0 ω.Cm
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Waferinspektionssystem |
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MCLT (Lebensdauer der Minderheit Carrier) |
Größer als oder gleich 1000 µs
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Sinton BCT-400 Vorübergehend
(mit Injektionsniveau: 5E14 cm-3)
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3.Geometrie
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Geometrie |
Pseudo Square |
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Schrägkantenform
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runden | |
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Waferseite Länge |
210 ± 0,25 mm
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Waferinspektionssystem |
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Waferdurchmesser |
φ295 ± 0,25 mm |
Waferinspektionssystem |
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Winkel zwischen benachbarten Seiten |
90 Grad ± 0,2 Grad |
Waferinspektionssystem |
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Dicke |
180 ﹢ 20/﹣10 µm 175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
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Waferinspektionssystem |
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TTV (Variation der Gesamtdicke) |
Weniger als oder gleich zu 27 µm |
Waferinspektionssystem |
4.Oberflächeneigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Schneidmethode |
Dw |
-- |
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Oberflächenqualität |
Als geschnitten und gereinigt, keine sichtbare Kontamination (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Aufschlämmungsflecken, Epoxid-/Klebstoffflecken sind nicht erlaubt) |
Waferinspektionssystem |
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Saw Marks / Stufen |
Weniger als oder gleich 15 µm |
Waferinspektionssystem |
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Bogen |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Kette |
Weniger als oder gleich 40 µm |
Waferinspektionssystem |
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Chip |
Tiefe weniger oder gleich 0,3 mm und Länge weniger als 0,5 mm max/pcs; Kein V-Chip |
Nacktes Augen oder Waferinspektionssystem |
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Mikro -Risse / Löcher |
Nicht erlaubt |
Waferinspektionssystem |
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