Der monokristalline Siliziumwafer vom N-Typ M2 verfügt über ein quasi Quasie 156,75 × 156,75 mm-Design mit abgerundeten Ecken, wodurch die Kompatibilität mit Standardmodullayouts und optimierte Lichteinfassung ausgeglichen wird. Hergestellt mit der CZ -Methode und der Phosphordoping bietet es eine hohe materielle Reinheit.<100>Ausrichtung und niedrige Versetzungsdichte (weniger oder gleich 500 cm⁻²). Mit N-Typ-Leitfähigkeit, einem breiten Widerstandsbereich (0,2–12 Ω · cm) und einer Lebensdauer von hoher Minderheitsträger (mehr oder gleich 1000 µs) unterstützt es hocheffiziente Zelltechnologien wie Topcon und HJT. Der M2 -Wafer bleibt ein bewährtes und zuverlässiges Format für eine stabile Leistung in Mainstream -PV -Anwendungen.
1. Materialeigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Wachstumsmethode |
CZ |
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Kristallinität |
Monokristallin |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Leitfähigkeitstyp |
N-Typ |
Napson EC-80TPN |
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Dotierung |
Phosphor |
- |
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Sauerstoffkonzentration [OI] |
Weniger als oder gleich zu8e +17 at/cm3 |
Ftir (ASTM F121-83) |
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Kohlenstoffkonzentration [CS] |
Weniger als oder gleich zu5e +16 at/cm3 |
Ftir (ASTM F123-91) |
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Ätzdichte (Versetzungsdichte) |
Weniger als oder gleich zu500 cm-2 |
Bevorzugte Ätztechniken(ASTM F47-88) |
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Oberflächenorientierung |
<100>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
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Ausrichtung der Pseudo -quadratischen Seiten |
<010>,<001>± 3 Grad |
Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2.Elektrische Eigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Widerstand |
0,2-2,0 ω.Cm 0,5-3,5 Ω.Cm
1,0-7,0 ω.Cm
1,5-12 Ω.Cm
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4-Probe-Widerstand
Messung
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MCLT (Lebensdauer der Minderheit Carrier) |
Größer als oder gleich 1000 µs (Widerstand ＞ 1,0 Ω.CM) Größer als oder gleich 500 µs (Widerstand ＜ 1,0 Ω.Cm
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Sinton BCT-400 Vorübergehend
(mit Injektionsniveau: 5E14 cm-3)
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3.Geometrie
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Geometrie |
Quasi Square
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Vernier -Bremssattel
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Durchmesser
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210 ± 0,25 mm
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Vernier -Bremssattel |
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Flach zu flach
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156,75 ± 0,25 mm
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Vernier -Bremssattel
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Ecklänge
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8,5 ± 0,5 mm
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Weitsitzplatz/Herrscher
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Winkelität
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90 Grad ± 0,2 Grad |
Winkel Herrscher
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Eckform
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Runde Form
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Visuelle Inspektion
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Senkrecht
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Weniger als oder gleich 0,8 mm
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TTV (Variation der Gesamtdicke) |
Weniger als oder gleich zu 27 µm |
Waferinspektionssystem |
4.Oberflächeneigenschaften
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Eigentum |
Spezifikation |
Inspektionsmethode |
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Oberflächenqualit
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Fleck, Öl, Kratzer, Riss, Grube, Beule,
Pinhole und Zwillingsfehler sind nicht
erlaubt
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Visuelle Inspektion
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Chip
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Oberflächenchip ist nicht erlaubt;
ARRIS: Chips sind inkonsezidisch:
Weniger als 10 auf der Arris, Dia weniger als 0,3 mm;
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Herrscher
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Oberfläche rau
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Ebene Oberfläche: RA weniger oder gleich 0,6um;
Oberfläche stürzt: ra weniger oder gleich 1,0 TUM
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Oberflächenrauheit Messgerät
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Beliebte label: N-Typ M2 Monokristalline Siliziumwaferspezifikation, China, Lieferanten, Hersteller, Fabrik, hergestellt in China
