210 mm x 210 mm M12 monokristalliner Silizium-Solarwafer mit einem Durchmesser von 295 mm ist 80,5% größer als der M2-Wafer.
1 Materialeigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Wachstumsmethode | CZ | |
Kristallinität | Monokristallin | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Leitfähigkeitstyp | P-Typ | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant | Bor, Gallium | - |
Sauerstoffkonzentration [Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Kohlenstoffkonzentration[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte) | ≦500 cm²-3 | Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88） |
Oberflächenorientierung | & lt;100>±3° | Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
Ausrichtung der pseudoquadratischen Seiten | & lt;010>,<001>±3° | Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987) |
2 Elektrische Eigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Widerstand | 0,5-1,5 cm | Wafer-Inspektionssystem |
MCLT (Minority Carrier Lifetime) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (mit Einspritzniveau: 1E15 cm-3) |
3Geometrie
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Geometrie | Volles Quadrat | |
Waferseitenlänge | 182±0,25 mm | Wafer-Inspektionssystem |
Waferdurchmesser | 247±0,25 mm | Wafer-Inspektionssystem |
Winkel zwischen benachbarten Seiten | 90° ± 0.2° | Wafer-Inspektionssystem |
Dicke | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | Wafer-Inspektionssystem |
TTV (Gesamtdickenvariation) | ≤27 µm | Wafer-Inspektionssystem |
4 Oberflächeneigenschaften
Eigentum | Spezifikation | Untersuchungsmethode |
Schneidemethode | DW | -- |
Oberflächenqualität | wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbaren Verunreinigungen, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Schlammflecken, Epoxid-/Kleberflecken sind nicht erlaubt) | Wafer-Inspektionssystem |
Sägespuren / Stufen | ≤ 15µm | Wafer-Inspektionssystem |
Bogen | ≤ 40 µm | Wafer-Inspektionssystem |
Kette | ≤ 40 µm | Wafer-Inspektionssystem |
Chip | Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2/Stk.; kein V-Chip | Nackte Augen oder Wafer-Inspektionssystem |
Mikrorisse / Löcher | Nicht erlaubt | Wafer-Inspektionssystem |
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