P-Typ 182 mm monokristalliner Solarwafer

Produkteinführung:

182 mm x 182 mm M12 monokristalliner Silizium-Solarwafer mit einem Durchmesser von 247 mm können Solarzellen mit höherer Leistung herstellen.

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Beschreibung

Technische Parameter

158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2

P type monocrystalline wafer 1

P type monocrystalline wafer 2

210 mm x 210 mm M12 monokristalliner Silizium-Solarwafer mit einem Durchmesser von 295 mm ist 80,5% größer als der M2-Wafer.

1 Materialeigenschaften

Eigentum	Spezifikation	Untersuchungsmethode
Wachstumsmethode	CZ
Kristallinität	Monokristallin	Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）
Leitfähigkeitstyp	P-Typ	Napson EC-80TPN P/N
Dopant	Bor, Gallium	-
Sauerstoffkonzentration [Oi]	≦8E+17 at/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Kohlenstoffkonzentration[Cs]	≦5E+16 at/cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Ätzgrubendichte (Versetzungsdichte)	≦500 cm²^-3	Bevorzugte Ätztechniken（ASTM F47-88）
Oberflächenorientierung	& lt;100>±3°	Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987)
Ausrichtung der pseudoquadratischen Seiten	& lt;010>,<001>±3°	Röntgenbeugungsmethode (ASTM F26-1987)

2 Elektrische Eigenschaften

Eigentum

Spezifikation

Untersuchungsmethode

Widerstand

0,5-1,5 cm

Wafer-Inspektionssystem

MCLT (Minority Carrier Lifetime)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(mit Einspritzniveau: 1E15 cm^-3)

3Geometrie

Eigentum	Spezifikation	Untersuchungsmethode
Geometrie	Volles Quadrat
Waferseitenlänge	182±0,25 mm	Wafer-Inspektionssystem
Waferdurchmesser	247±0,25 mm	Wafer-Inspektionssystem
Winkel zwischen benachbarten Seiten	90° ± 0.2°	Wafer-Inspektionssystem
Dicke	180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm	Wafer-Inspektionssystem
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤27 µm	Wafer-Inspektionssystem

4 Oberflächeneigenschaften

Eigentum	Spezifikation	Untersuchungsmethode
Schneidemethode	DW	--
Oberflächenqualität	wie geschnitten und gereinigt, keine sichtbaren Verunreinigungen, (Öl oder Fett, Fingerabdrücke, Seifenflecken, Schlammflecken, Epoxid-/Kleberflecken sind nicht erlaubt)	Wafer-Inspektionssystem
Sägespuren / Stufen	≤ 15µm	Wafer-Inspektionssystem
Bogen	≤ 40 µm	Wafer-Inspektionssystem
Kette	≤ 40 µm	Wafer-Inspektionssystem
Chip	Tiefe ≤0,3 mm und Länge ≤ 0,5 mm Max 2/Stk.; kein V-Chip	Nackte Augen oder Wafer-Inspektionssystem
Mikrorisse / Löcher	Nicht erlaubt	Wafer-Inspektionssystem

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